ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

CSD13381F4

Name: Texas Instruments CSD13381F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13381F4
Price: 57 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD13381F4

メーカ番号：

CSD13381F4

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A 595-CSD13381F4T

データシート:

CSD13381F4 データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Texas Instruments CSD13381F4の詳細を読む

在庫: 21,354

在庫：: 21,354 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 6 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥57.6	¥58
	¥43	¥430
	¥24.5	¥2,450
	¥16.8	¥8,400
	¥13.3	¥13,300
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥10.9	¥32,700
	¥9.4	¥56,400
	¥8.2	¥73,800
	¥7.7	¥184,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD13381F4T

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥66

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD13381F4T

詳細：

MOSFET 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PICOSTAR-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	12 V
Id - 連続ドレイン電流:	2.1 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	180 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	650 mV
Qg - ゲート電荷:	1.06 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	500 mW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	3.8 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	1.5 ns
シリーズ:	CSD13381F4
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel FemtoFET MOSFET
標準電源切断遅延時間:	11 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	3.7 ns
単位重量:	0.400 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

PCN

SPICE Models

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854239099
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

FemtoFET パワーMOSFET

Texas Instruments FemtoFETパワーMOSFETは、超小型のフットプリント（0402ケースサイズ）で（他社製品よりも70%低い）極めて低い抵抗を達成します。これらのMOSFETには、超低Qg、Qgd仕様、最適化ESD定格が採用されています。ランドグリッドアレイ（LGA）パッケージにてご提供しています。このパッケージによりシリコン含有量が最大化されるため、スペースの限られた用途に最適となります。このパワーMOSFETは、低電力損失と低スイッチング損失を提供し、軽負荷性能を向上します。このデバイスの主な用途には、ハンドヘルド、モバイル、負荷スイッチ、汎用スイッチ、バッテリーなどがあります。
詳細

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。