ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

CSD16321Q5

Name: Texas Instruments CSD16321Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16321Q5
Price: 390 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD16321Q5

メーカ番号：

CSD16321Q5

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET N-Channel NexFET Pow er MOSFET

データシート:

CSD16321Q5 データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Texas Instruments CSD16321Q5の詳細を読む

在庫: 3,658

在庫：: 3,658 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 12 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥390.4	¥390
	¥249.6	¥2,496
	¥171.2	¥17,120
	¥141.6	¥70,800
	¥134.6	¥134,600
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥115.2	¥288,000
	¥114.2	¥571,000
	¥111.4	¥1,114,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD16321Q5T

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥322

最低:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VSON-CLIP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	25 V
Id - 連続ドレイン電流:	5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	900 mV
Qg - ゲート電荷:	14 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	113 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
開発キット:	TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353
下降時間:	17 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	150 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	15 ns
シリーズ:	CSD16321Q5
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	27 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
単位重量:	117.400 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。