CSD17381F4

Texas Instruments
595-CSD17381F4
CSD17381F4

メーカ：

詳細：
MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥64 ¥64
¥43.5 ¥435
¥27.2 ¥2,720
¥18.7 ¥9,350
¥16.3 ¥16,300
完全リール（3000の倍数で注文）
¥14.1 ¥42,300
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ 部品番号:
CSD17381F4T
梱包:
Reel, Cut Tape, MouseReel
在庫状況:
在庫
価格:
¥222
最低:
1

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MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4
現在のパーツと比較

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
30 V
3.1 A
109 mOhms
- 8 V, 8 V
650 mV
1.04 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
開発キット: CSD1FNCHEVM-889
下降時間: 3.6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 4.8 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 1.4 ns
シリーズ: CSD17381F4
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 10.8 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 3.4 ns
単位重量: 0.400 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854121000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

FemtoFET パワーMOSFET

Texas Instruments FemtoFETパワーMOSFETは、超小型のフットプリント（0402ケースサイズ）で（他社製品よりも70%低い）極めて低い抵抗を達成します。これらのMOSFETには、超低Qg、Qgd仕様、最適化ESD定格が採用されています。ランドグリッドアレイ（LGA）パッケージにてご提供しています。このパッケージによりシリコン含有量が最大化されるため、スペースの限られた用途に最適となります。このパワーMOSFETは、低電力損失と低スイッチング損失を提供し、軽負荷性能を向上します。このデバイスの主な用途には、ハンドヘルド、モバイル、負荷スイッチ、汎用スイッチ、バッテリーなどがあります。
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