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CSD18511KCS

Name: Texas Instruments CSD18511KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18511KCS
Price: 355 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD18511KCS

メーカ番号：

CSD18511KCS

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

データシート:

CSD18511KCS データシート

ECADモデル:

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在庫: 303

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数量	ユニット価格	合計額
	¥355.2	¥355
	¥174.4	¥1,744
	¥155.4	¥15,540
	¥124	¥62,000
	¥105.4	¥105,400
	¥97.6	¥488,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	194 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.5 V
Qg - ゲート電荷:	64 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	188 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	3 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	249 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6 ns
シリーズ:	CSD18511KCS
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	17 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8 ns
単位重量:	2 g

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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