CSD18533KCS

Texas Instruments
595-CSD18533KCS
CSD18533KCS

メーカ：

詳細：
MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 6,413

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥368 ¥368
¥180.8 ¥1,808
¥160 ¥16,000
¥128.5 ¥64,250
¥109.4 ¥109,400
¥101.9 ¥509,500

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
6.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.9 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
NexFET
Tube
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
下降時間: 3.2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 150 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4.8 ns
シリーズ: CSD18533KCS
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 13 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 5.7 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

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PCN

Product Catalogs

SPICE Models

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

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