CSD18537NKCS

Texas Instruments
595-CSD18537NKCS
CSD18537NKCS

メーカ：

詳細：
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 10

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10
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予想2026/02/26
工場リードタイム：
12
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥272 ¥272
¥129.8 ¥1,298
¥115.7 ¥11,570
¥91.2 ¥45,600
¥76.6 ¥76,600
¥69.4 ¥347,000
¥67.2 ¥672,000

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
56 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
94 W
Enhancement
NexFET
Tube
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
下降時間: 3.9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 100 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 3.2 ns
シリーズ: CSD18537NKCS
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 12.6 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 4.5 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

Images

PCN

SPICE Models

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

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