CSD19506KCS

Texas Instruments
595-CSD19506KCS
CSD19506KCS

メーカ：

詳細：
MOSFET 80V N-CH Power MOSFE T

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥849.6 ¥850
¥588.8 ¥5,888
¥584 ¥58,400
¥507.2 ¥253,600
¥369.6 ¥369,600
¥368 ¥920,000

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
200 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
NexFET
Tube
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
下降時間: 10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 297 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 11 ns
シリーズ: CSD19506KCS
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 30 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 19 ns
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET NチャンネルパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小化するように設計されています。これらのNチャンネルデバイスは、超低Qgと低熱抵抗が特徴です。これらのデバイスは、高度に定格されており、SON 5mm x 6mmのプラスチックパッケージでご用意があります。

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