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CSD19535KTTT

Name: Texas Instruments CSD19535KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19535KTTT
Price: 932 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD19535KTTT

メーカ番号：

CSD19535KTTT

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19535KTT

データシート:

CSD19535KTTT データシート

ECADモデル:

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在庫: 519

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パッケージング:

完全リール（50の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥932.8	¥933
	¥440	¥4,400
完全リール（50の倍数で注文）
	¥440	¥22,000
	¥406.4	¥40,640
	¥401.6	¥200,800
	¥392	¥392,000
5,000	見積り

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

CSD19535KTT

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥667

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD19535KTT

詳細：

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19535KTTT

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	200 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.2 V
Qg - ゲート電荷:	75 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	300 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	15 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	301 S
水分感度:	Yes
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	18 ns
シリーズ:	CSD19535KTT
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	21 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
単位重量:	2 g

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