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CSD19536KCS

Name: Texas Instruments CSD19536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19536KCS
Price: 820 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD19536KCS

メーカ番号：

CSD19536KCS

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

データシート:

CSD19536KCS データシート

ECADモデル:

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	¥449.6	¥4,496
	¥408	¥40,800
	¥368	¥184,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	259 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.1 V
Qg - ゲート電荷:	118 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	375 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	307 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8 ns
シリーズ:	CSD19536KCS
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	38 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	14 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

NexFET Nチャンネル・パワーMOSFET

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