ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

CSD22204WT

Name: Texas Instruments CSD22204WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22204WT
Price: 260 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD22204WT

メーカ番号：

CSD22204WT

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

データシート:

CSD22204WT データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Texas Instruments CSD22204WTの詳細を読む

在庫: 134

在庫：: 134

すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 250

予想2026/06/01
工場リードタイム：: 12

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（250の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥260.8	¥261
	¥176	¥1,760
	¥89.4	¥8,940
完全リール（250の倍数で注文）
	¥89.4	¥22,350
	¥76.8	¥38,400
	¥70.9	¥70,900

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD22204W

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥142

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD22204W

詳細：

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DSBGA-9
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	8 V
Id - 連続ドレイン電流:	5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	14 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 6 V, 6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	450 mV
Qg - ゲート電荷:	24.6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.7 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	2.29 us
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	18 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	600 ns
シリーズ:	CSD22204W
工場パックの数量:	250
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	3.45 us
ターンオン時の標準遅延時間:	58 ns
単位重量:	2.500 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854239099
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

NexFET Pチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET PチャンネルパワーMOSFETは、超薄型で優れた熱特性が可能な最小の輪郭で、最低のオン抵抗とゲート充電を提供するように設計されています。これらのNexFET MOSFETは、超低オン抵抗と超低QgとQgd、および1.0mm x 1.5mmの小型フットプリントが特徴です。