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CSD87355Q5DT

Name: Texas Instruments CSD87355Q5DT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87355Q5DT
Price: 659 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD87355Q5DT

メーカ番号：

CSD87355Q5DT

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87355Q5D

データシート:

CSD87355Q5DT データシート

ECADモデル:

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¥-

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EST関税:

パッケージング:

完全リール（250の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥659.2	¥659
	¥436.8	¥4,368
	¥268.8	¥26,880
完全リール（250の倍数で注文）
	¥268.8	¥67,200
	¥238.4	¥119,200
	¥227.2	¥227,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

CSD87355Q5D

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥374

最低:

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メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD87355Q5D

詳細：

MOSFET 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	LSON-CLIP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	45 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.9 V
Qg - ゲート電荷:	13.7 nC, 31.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	12 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Dual
下降時間:	3 ns, 6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	90 S , 151 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	18 ns, 14 ns
シリーズ:	CSD87355Q5D
工場パックの数量:	250
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	13 ns, 27 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8 ns, 10 ns
単位重量:	161.600 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CSD87355Q5DT データシート

SPICE Models

CSD87355Q5D PSpice Model (Rev. A)

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。