DRV8300DPWR

Texas Instruments
595-DRV8300DPWR
DRV8300DPWR

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

ECADモデル:
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工場リードタイム:
6 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥174.4 ¥174
¥126.1 ¥1,261
¥113.9 ¥2,848
¥100.5 ¥10,050
¥94.1 ¥23,525
¥86.9 ¥43,450
¥78.9 ¥78,900
完全リール(3000の倍数で注文)
¥75.2 ¥225,600
¥63.4 ¥380,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Texas Instruments
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
TSSOP-20
3 Driver
6 Output
750 mA
5 V
20 V
Non-Inverting
24 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
DRV8300
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
開発キット: DRV8300DIPW-EVM
論理タイプ: CMOS
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 180 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 3相ゲートドライバ

Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 3相ゲートドライバは、3つのハーフブリッジゲートドライバを実現しており、それぞれが高圧側と低圧側のNチャンネルパワーMOSFETを駆動できます。DRV8300D/DRV8300D-Q1は、高圧側MOSFETを対象とした統合ブートストラップダイオードと外付けコンデンサを使用して、正しいゲート駆動電圧を生成します。DRV8300Nは、高圧側MOSFET用の外付けブートストラップダイオードと外付けコンデンサを使用し、正しいゲート駆動電圧を生成します。GVDDは、低圧側MOSFETのゲート駆動電圧の生成に使用します。Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1ゲート・ドライブ・アーキテクチャは、ピーク最大750mAソースおよび1.5Aシンク電流をサポートしています。