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TAS5614LADDVR

Name: Texas Instruments TAS5614LADDVR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TAS5614LADDVR
Price: 683 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-TAS5614LADDVR

メーカ番号：

TAS5614LADDVR

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

オーディオアンプ 150W St/300W Mono HD Dig-In Pwr Stage A A 595-TAS5614LADDV

データシート:

TAS5614LADDVR データシート

ECADモデル:

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在庫: 1,694

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¥-

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¥-

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パッケージング:

完全リール（2000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥683	¥683
	¥515.1	¥5,151
	¥474.3	¥11,858
	¥427.1	¥42,710
	¥405.9	¥101,475
	¥402.6	¥201,300
	¥378.2	¥378,200
完全リール（2000の倍数で注文）
	¥368.4	¥736,800
	¥363.5	¥1,454,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

TAS5614LADDV

梱包:

Tube

在庫状況:

在庫

価格:

¥1,553

最低:

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メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

TAS5614LADDV

詳細：

オーディオアンプ 150W St/300W Mono HD Dig-In Pwr Stage A A 595-TAS5614LADDVR

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	オーディオアンプ
RoHS:
クラス:	Class-D
出力電力:	150 W, 300 W
THD プラスノイズ:	0.03 %
パッケージ/ケース:	HTSSOP-44
音声 - 負荷インピーダンス:	2 Ohms, 4 Ohms
供給電圧 - 最小:	12 V
供給電圧 - 最大:	38 V
最低動作温度:	0 C
最高動作温度:	+ 125 C
取り付け様式:	SMD/SMT
シリーズ:	TAS5614LA
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
水分感度:	Yes
動作供給電流:	20 mA
製品:	Audio Amplifiers
製品タイプ:	Audio Amplifiers
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Audio ICs
タイプ:	1-Channel Mono or 2-Channel Stereo
単位重量:	329.800 mg

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選択した属性: 0

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データシート

TAS5614LADDVR データシート

Images

Models

TAS5614LADDVR Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Qualification of CFAB as an additional wafer fab site option for select devices in LBC5 process technology (PDF)

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8542330996
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TAS5614LA / TAS5624A Class-D Power Amplifiers

Texas Instruments TAS5614LA / TAS5624A 150W Stereo / 300W Mono Class-D Power Amplifiers are a feature-optimized devices based on the TAS5614A. TI TAS5614LA uses large MOSFETs for improved power efficiency and a novel gate drive scheme for reduced losses in idle and at low output signals leading to reduced heat sink size. The unique pre-clipping output signal can be used to control a Class-G power supply.