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TPD1E0B04DPYR

Name: Texas Instruments TPD1E0B04DPYR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPD1E0B04DPYR
Price: 99 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-TPD1E0B04DPYR

メーカ番号：

TPD1E0B04DPYR

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

ESD保護ダイオード/TVSダイオード 0.13-pF +/-3.6-V + / -8-kV ESD protectio A 595-TPD1E0B04DPYT

データシート:

TPD1E0B04DPYR データシート

ECADモデル:

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在庫: 41,412

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¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（10000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥99.4	¥99
	¥61.1	¥611
	¥39.1	¥3,910
	¥30.8	¥15,400
	¥24.8	¥24,800
	¥23.1	¥57,750
	¥20.7	¥103,500
完全リール（10000の倍数で注文）
	¥18.4	¥184,000
	¥17.3	¥346,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

TPD1E0B04DPYT

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥253

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

TPD1E0B04DPYT

詳細：

ESD保護ダイオード/TVSダイオード 0.13-pF +/-3.6-V + / -8-kV ESD protectio A 595-TPD1E0B04DPYR

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	ESD保護ダイオード/TVSダイオード
RoHS:
極性:	Bidirectional
チャンネル数:	1 Channel
動作電圧:	3.6 V
末端様式:	SMD/SMT
制限電圧:	19 V
破壊電圧:	6.7 V
パッケージ/ケース:	X1SON-2
Ipp - ピークパルス電流:	16 A
Pppm - ピークパルス電力損失:	15 W
Cd - ダイオード静電容量（Diode Capacitance）:	180 fF
Vesd - 電圧ESDコンタクト:	8 kV
Vesd - 電圧ESDエアギャップ:	9 kV
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	TPD1E0B04
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
製品:	ESD Suppressors
工場パックの数量:	10000
サブカテゴリ:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
単位重量:	3.100 mg

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選択した属性: 0

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PCN

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 中国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TPD1E0B04 ESD保護ダイオード

Texas Instruments TPD1E0B04 ESD保護ダイオードは、双方向のTVS ESD保護ダイオードアレイで、USB Type-CおよびThunderbolt 3回路の保護用です。TPD1E0B04は、国際規格EC61000-4-2（レベル4）で規定されている最大レベルで発生したESDを散逸させるように指定されています。このデバイスは、1チャンネル当たり0.13pFのIO容量（DPLパッケージ）が特徴で、USB 3.1 Gen2、Thunderbolt 3、およびアンテナといった最大20Gbpsの高速インターフェイスの保護に最適です。動的抵抗とクランピング電圧が低いため、過渡事象に対してシステム・レベルの保護が保証されます。