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TPS54200DDCR

Name: Texas Instruments TPS54200DDCR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS54200DDCR
Price: 230 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-TPS54200DDCR

メーカ番号：

TPS54200DDCR

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

スイッチング電圧レギュレータ 4.5V to 28V input vo ltage synchronous b A 595-TPS54200DDCT

データシート:

TPS54200DDCR データシート

ECADモデル:

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在庫: 2,949

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥230.4	¥230
	¥168	¥1,680
	¥152	¥3,800
	¥134.9	¥13,490
	¥126.7	¥31,675
	¥121.8	¥60,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥110.1	¥330,300
	¥108	¥648,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

TPS54200DDCT

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥270

最低:

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メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

TPS54200DDCT

詳細：

スイッチング電圧レギュレータ 4.5V to 28V input vo ltage synchronous b A 595-TPS54200DDCR

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	スイッチング電圧レギュレータ
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-23-THIN-6
トポロジー:	Buck
出力電圧:	- 100 mV to 28 V
出力電流:	1.5 A
出力数:	1 Output
入力電圧－最小:	4.5 V
入力電圧－最大:	28 V
零入力電流:	2 uA
スイッチング周波数:	600 kHz
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	TPS54200
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
開発キット:	TPS54200EVM-818
入力電圧:	4.5 V to 28 V
製品タイプ:	Switching Voltage Regulators
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最小:	4.5 V
タイプ:	Synchronous Buck WLED Driver
単位重量:	9.500 mg

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選択した属性: 0

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS54200/TPS54201同期バックLEDドライバ

Texas Instruments TPS54200/TPS54201同期バックLEDドライバは、1.5A同期バックWLEDドライバに28Vの最大入力電圧が備わっています。電流モード動作により、高速な過渡応答が得られ、ループを簡単に安定化できます。TPS54200およびTPS54201はMOSFETを内蔵し、SOT23-6パッケージを採用しているため、高い電力密度を実現し、PCB上でわずかな面積しか占有しません。TPS54200およびTPS54201にはアナログ調光が実装されており、このモードではPWM信号入力のデューティサイクルに比例して内部基準電圧を変化させ、調光を行います。また、このデバイスはPWM調光モードもサポートしており、このモードでは内部基準電圧が100mVに半減して、より高い効率を実現します。ハイサイドMOSFETにおけるサイクル毎の制限によって、過負荷状態におけるコンバータを保護し、電流の暴走を防ぐローサイドMOSFETフリーホイール電流制限によってMOSFETを強化します。過度の逆電流を防止するように、ローサイドMOSFETシンク電流制限があります。