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UCC5870QDWJRQ1

Name: Texas Instruments UCC5870QDWJRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC5870QDWJRQ1
Price: 2582 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-UCC5870QDWJRQ1

メーカ番号：

UCC5870QDWJRQ1

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

ガルバニック絶縁型ゲートドライバ Automotive 3.75kVrm s 30A single-channel A 595-UCC5870QDWJQ1

データシート:

UCC5870QDWJRQ1 データシート

ECADモデル:

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在庫: 316

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パッケージング:

完全リール（750の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥2,582.4	¥2,582
	¥2,046.4	¥20,464
	¥1,912	¥47,800
	¥1,764.8	¥176,480
	¥1,696	¥424,000
	¥1,692.8	¥846,400
完全リール（750の倍数で注文）
	¥1,619.2	¥1,214,400
4,500	見積り

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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メーカ部品番号:

UCC5870QDWJQ1

梱包:

Tube

在庫状況:

在庫

価格:

¥3,314

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

UCC5870QDWJQ1

詳細：

ガルバニック絶縁型ゲートドライバ Automotive 3.75kVrm s 30A single-channel A 595-UCC5870QDWJRQ1

ライフサイクル:

製造中止: メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:
シリーズ:	UCC5870
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SSOP-36
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
伝搬遅延 - 最大:	150 ns
上昇時間:	150 ns
下降時間:	150 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Inverting
水分感度:	Yes
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	30 A
製品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
製品タイプ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量:	750
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最大:	5.5 V
供給電圧 - 最小:	3 V
技術:	Si

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選択した属性: 0

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFETゲートドライバ

Texas Instruments UCC5870-Q1 IGBT/SiC MOSFETゲートドライバは、機能安全に準拠した絶縁型の高度に構成できるシングルチャンネル・ゲートドライバで、EV/HEVアプリケーションでのハイパワーSiC MOSFETおよびIGBTの駆動を目的としています。これらの障害時にソフトターンOFFまたは2レベルのターンOFFを選択できることをはじめとして、シャント抵抗器ベースの過電流、NTCベースの温度過昇、DESAT検出といったパワートランジスタ保護機能が搭載されています。アプリケーションのサイズをさらに削減するために、Texas Instruments UCC5870-Q1には、スイッチング時の4Aアクティブ・ミラー・クランプおよびドライバの電源がOFF時間のアクティブ・ゲート・プルダウンが集積されています。集積10ビットADCを使用すると、システムマネジメントの強化を目的とした最大6つのアナログ入力とゲートドライバの温度を監視できるようになります。ASIL-D準拠システムの設計を簡素化するために、診断と検出機能が集積されています。これらの機能のパラメータと閾値は、SPIインターフェイスを使用して構成できます。これによって、デバイスをほぼすべてのSiC MOSFETまたはIGBTと併用できます。