SSM6N55NU,LF

Toshiba
757-SSM6N55NULF
SSM6N55NU,LF

メーカ:

詳細:
MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥55.4 ¥55
¥36 ¥360
¥25.9 ¥2,590
¥21.5 ¥10,750
¥19.9 ¥19,900
完全リール(3000の倍数で注文)
¥17.8 ¥53,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
N-Channel
2 Channel
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Toshiba
構成: Dual
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TH
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: SSM6N55
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 2 N-Channel
単位重量: 8.500 mg
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

U-MOSVII-H MOSFET

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETは、ロジックレベルのゲート駆動および低電圧ゲート駆動デバイスで、シングルNチャンネルおよびデュアルNチャンネルの両方のバージョンで販売されています。これらのデバイスには、12V~60Vのドレイン-ソース電圧範囲および0.15m~9.0Aの連続ドレイン電流範囲があります。U-MOSVII-H MOSFETは、幅広いコンパクト表面実装パッケージタイプで販売されており、高密度アプリケーションに最適です。