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SI3433CDV-T1-BE3

Name: Vishay SI3433CDV-T1-BE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3433CDV-T1-BE3
Price: 123 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SI3433CDV-T1-BE3

メーカ番号：

SI3433CDV-T1-BE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET TSOP6 P-CH 20V 5.2A

データシート:

SI3433CDV-T1-BE3 データシート

ECADモデル:

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Vishay / Siliconix SI3433CDV-T1-BE3の詳細を読む

在庫: 119,453

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥123.9	¥124
	¥77.1	¥771
	¥49.9	¥4,990
	¥38	¥19,000
	¥34.2	¥34,200
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥27.4	¥82,200
	¥26.1	¥156,600

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

SI3433CDV-T1-GE3

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥155

最低:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSOP-6
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	38 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	18 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	3.3 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	TW
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	12 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	50 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	20 ns
別の部品番号:	SI3433CDV-T1-GE3
単位重量:	20 mg

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選択した属性: 0

                        
This part number has a BE3 suffix; however, it is the exact form, fit, 
and function of the part number with the GE3 suffix. The only 
difference is the country of origin.
Please contact a Mouser Technical Service Representative for further 
assistance 
5-0321-10

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データシート

SI3433CDV-T1-BE3 データシート

Models

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si3 MOSFET

Vishay/Siliconix Si3 MOSFETは、TrenchFET^®パワーMOSFETで、拡張モードで動作します。これらのSi3 MOSFETは、Nチャンネル、Pチャンネル、NチャンネルとPチャンネルで利用可能で、高効率のための超低R_DS(ON)が備わっています。また、これらのMOSFETは、異なるV_GSおよびV_DS範囲でも利用可能です。Si3 MOSFETには、Si技術が組み込まれており、-55ºC～150ºCの温度範囲で動作します。これらのMOSFETは、表面実装、100% R_g、UIS試験済で、リールパッケージに納められています。
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