FFSM0665A

onsemi
863-FFSM0665A
FFSM0665A

メーカ:

詳細:
SIC SCHOTTKYダイオード 650V 6A SIC SBD

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 3,133

在庫:
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工場リードタイム:
11 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥608 ¥608
¥304 ¥3,040
¥251.2 ¥25,120
完全リール(3000の倍数で注文)
¥249.6 ¥748,800
¥240 ¥1,440,000
9,000 見積り
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
PQFN-8x8
Single
6 A
650 V
1.5 V
42 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSM0665A
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
Pd - 電力損失: 56 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
トレードネーム: EliteSiC
Vr - 逆電圧(Reverse Voltage): 650 V
単位重量: 155.848 mg
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

ワイドバンドギャップSiCデバイス

onsemiワイドバンドギャップ(WBG)シリコンカーバイドには、まったく新しいテクノロジが組み込まれており、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。システムのメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。onsemiのSiCポートフォリオには、650Vおよび1200Vダイオード、650Vおよび1200V IGBTとSiCダイオードパワー統合モジュール(PIM)、1200V MOSFETとSiC MOSFETドライバが搭載されており、AEC-Q100の認定を受けています。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。