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FGH4L40T120LQD

Name: onsemi FGH4L40T120LQD
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L40T120LQD
Price: 1508 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-FGH4L40T120LQD

メーカ番号：

FGH4L40T120LQD

メーカ：

onsemi

詳細：

IGBT 1200V 40A FSIII IGBT LOW

データシート:

FGH4L40T120LQD データシート

ECADモデル:

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在庫: 384

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	¥1,040	¥10,400
	¥792	¥79,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-4
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.55 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	80 A
Pd - 電力損失:	306 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	FGH4L40T120LQD
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CZ
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	IGBTs

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選択した属性: 0

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データシート

FGH4L40T120LQD データシート

PCN

Material Composition Disclosure

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGH4L40Tx 1200V/40A フィールドストップパワーIGBT

onsemi FGH4L40Tx1200V/40A フィールドストップパワー絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（IGBT）は、要求の厳しいパワー・アプリケーションの高効率スイッチング用に設計されています。これらのIGBTは、低導通損失とスイッチング損失が特徴で、モータドライブ、無停電電源装置 (UPS) システム、再生可能エネルギーインバータでの使用に最適です。IGBTには、堅牢な短絡機能とソフトスイッチング性能を備えており、熱安定性を維持しながら高周波動作に対応しています。onsemi フィールドストップ技術ベースのFGH4L40Tx IGBTの最適化された設計によって、ハードスイッチングとソフトスイッチングトポロジの両方で高い信頼性を実現し、設計者が産業、エネルギー重視のシステムにおいて厳しい効率性と電力密度要件を満たす上で役立ちます。