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FGHL75T65LQDTL4

Name: onsemi FGHL75T65LQDTL4
Brand: onsemi
SKU: 863-FGHL75T65LQDTL4
Price: 1180 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-FGHL75T65LQDTL4

メーカ番号：

FGHL75T65LQDTL4

メーカ：

onsemi

詳細：

IGBT IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode

データシート:

FGHL75T65LQDTL4 データシート

ECADモデル:

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	¥1,180.8	¥1,181
	¥755.2	¥7,552
	¥649.6	¥64,960
	¥624	¥280,800
	¥608	¥1,641,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-4
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.15 V
最大ゲートエミッタ電圧:	20 V
25 Cでのコレクターの直流:	80 A
Pd - 電力損失:	469 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	FGHL75T65LQDTL4
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	IGBTs

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選択した属性: 0

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データシート

FGHL75T65LQDTL4 データシート

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

FS4 IGBT

onsemi FS4 IGBT は、さまざまな産業用および車載用アプリケーション向けの強力で効率的なソリューションです。onsemi FS4の最大ジャンクション温度は 175°C です。これらのIGBTは、最も過酷な動作条件に耐えるように構築されています。

FGHL75T65LQDT Trench IGBT

oonsemi FGHL75T65LQDT Trench IGBT は、高電流能力を提供し、最大175°°Cで動作します。これらのIGBTは、スムーズで最適化されたスイッチングと厳密なパラメータ分布が特徴です。FGHL75T65LQDTフィールドストップIGBTは、ソフトおよび高速リカバリダイオードと一緒に梱包されており、RoHSに準拠しています。アプリケーションには、ソーラーインバータ、UPS、ESS、PFC、コンバータがあります。

工業用モータ駆動

オンセミ (onsemi) 産業用モータドライブは、効率的で再生可能な技術とインテリジェントな電力を供給する、グローバルな持続可能性のために設計されています。米国エネルギー省（DOE）が発表した「2020年モータシステム市場分析（MSMA）」によると、産業用ポンプとドライブは毎年、米国送電網全体のほぼ15%を消費しています。また、2020年 MSMAでは、可変周波数ドライブ（VFD）を使用することで、年間3,230万メトリックトンのCO₂排出量を削減できると推定しています。オンセミは、ゲートドライバ、MOSFET、IGBT、EliteSiCなど、VFD向けの広範な半導体部品を製造しています。