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FGY120T65SPD-F085

Name: onsemi FGY120T65SPD-F085
Brand: onsemi
SKU: 512-FGY120T65SPDF085
Price: 2601 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

512-FGY120T65SPDF085

メーカ番号：

FGY120T65SPD-F085

メーカ：

onsemi

詳細：

IGBT 650V FS Trench IGBT Gen3

データシート:

FGY120T65SPD-F085 データシート

ECADモデル:

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在庫: 296

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数量	ユニット価格	合計額
	¥2,601.6	¥2,602
	¥1,604.8	¥16,048
	¥1,385.6	¥166,272
25,020	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.5 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	240 A
Pd - 電力損失:	882 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	FGY120T65S_F085
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値:	240 A
ゲート - エミッタリーク電流:	+/- 250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	IGBTs
別の部品番号:	FGY120T65SPD_F085
単位重量:	6.100 g

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選択した属性: 0

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データシート

FGY120T65SPD-F085 データシート

PCN

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

ハイブリッドと電気自動車ソリューション

onsemi ハイブリッドと電気自動車ソリューションは、パワートレインとその他の電力貯蔵システム向けの使いやすくて柔軟性の高い高性能EV/HEVソリューションを提供します。onsemiはMOSFET、整流器およびIGBTの完全なポートフォリオがあります。アプリケーションには電動A/Cコンプレッサ、EV/ HEV DC-DCコンバータ、EV/HEVオンボード充電器、EV/HEV用トラクションインバータがあります。
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