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NTBG040N120SC1

Name: onsemi NTBG040N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG040N120SC1
Price: 2924 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTBG040N120SC1

メーカ番号：

NTBG040N120SC1

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

データシート:

NTBG040N120SC1 データシート

ECADモデル:

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完全リール（800の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥2,924.8	¥2,925
	¥2,468.8	¥24,688
	¥2,444.8	¥244,480
	¥2,211.2	¥1,105,600
完全リール（800の倍数で注文）
	¥2,126.4	¥1,701,120
2,400	見積り

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	60 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	56 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.3 V
Qg - ゲート電荷:	106 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	357 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	EliteSiC
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	20 S
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	20 ns
シリーズ:	NTBG040N120SC1
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	30 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns

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選択した属性: 0

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データシート

NTBG040N120SC1 データシート

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFETは、 1,200Vおよび1,700Vの定格電圧を備えています。onsemi M1 MOSFET は、信頼性と効率が要求される大電力アプリケーションの要件を満たすように設計されています。M1 EliteSiC MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD、ベアダイをはじめとするさまざまなパッケージオプションでご用意があります。

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

1200V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET

Onsemi 1,200VEliteSiC (シリコンカーバイド) MOSFET は、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高信頼性を提供します。これらのMOSFETには、低静電容量とゲート電荷が保証される低on抵抗が備わっています。1,200V EliteSiC MOSFETは、高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズの縮小をはじめとするシステムのメリットを実現しています。これらのMOSFETは、阻止電圧、高速スイッチング、低静電容量が特徴で、-55°C ～ +175°Cの温度範囲で動作します。1,200V SiC MOSFETは、AEC-Q101車載認定を受けており、RoHS準拠しています。これらのMOSFETは、ブーストインバータ、充電ステーション、DC/DCインバータ、DC/DCコンバータ、オンボード充電器 (OBC) 、モータ制御、産業用電源、サーバ電源に適しています。