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NTP082N65S3HF

Name: onsemi NTP082N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP082N65S3HF
Price: 1072 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTP082N65S3HF

メーカ番号：

NTP082N65S3HF

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-220

データシート:

NTP082N65S3HF データシート

ECADモデル:

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	¥699.2	¥69,920

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	40 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	82 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
Qg - ゲート電荷:	81 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	313 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	NTP082N65S3HF
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors

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選択した属性: 0

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データシート

NTP082N65S3HF データシート

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET^® III MOSFETは、高電圧（T_J= 150ºCで700V）スーパージャンクション（SJ）MOSFETで、充電バランス技術を用いています。この技術によって、非常に低いオン抵抗（標準59mΩまたは62mΩ R_DS(on)）およびより低いゲート充電性能（標準78nC Qg）が実現しています。SuperFET III MOSFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、ドレイン-ソース電圧の極端な上昇率に耐えるように設計されています。dv/dt Fairchild SuperFET IIIは、小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源システムに最適です。