NVH4L025N065SC1

onsemi
863-NVH4L025N065SC1
NVH4L025N065SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L

データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,579.2 ¥3,579
¥3,012.8 ¥30,128
¥2,785.6 ¥334,272
1,020 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 27 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 19 ns
シリーズ: NVH4L025N065SC1
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 32 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

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