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NVMFS4C306NET1G

Name: onsemi NVMFS4C306NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C306NET1G
Price: 203 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NVMFS4C306NET1G

メーカ番号：

NVMFS4C306NET1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET TRENCH 30V NCH

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

NVMFS4C306NET1G データシート (PDF)

ECADモデル:

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数量	ユニット価格	合計額
	¥203.2	¥203
	¥127.5	¥1,275
	¥84.3	¥8,430
	¥66.6	¥33,300
	¥59.8	¥59,800
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥54.7	¥82,050
	¥49.6	¥148,800
	¥47.4	¥426,600
	¥45.6	¥1,094,400

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SO-8FL
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	71 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.1 V
Qg - ゲート電荷:	26 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	36.5 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	3 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	28 ns
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	24 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8 ns

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選択した属性: 0

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データシート

NVMFS4C306NET1G データシート (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 Nチャンネル MV MOSFET

onsemi Trench6 NチャンネルMV MOSFETは、シールドゲート技術が組み込まれた高度パワートレンチプロセスを使用して生産された30V、40V、60V MOSFETです。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。