NVMFWS2D3N04XMT1G

onsemi
863-VMFWS2D3N04XMT1G
NVMFWS2D3N04XMT1G

メーカ：

詳細：
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 121A, 2.35 mohm

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥313.6 ¥314
¥200 ¥2,000
¥134.9 ¥13,490
¥117.6 ¥58,800
¥109.3 ¥109,300
完全リール（1500の倍数で注文）
¥95.5 ¥143,250

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
121 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
22.2 nC
- 55 C
+ 175 C
63 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 4.2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 89.2 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5.1 ns
シリーズ: NVMFWS2D3N04XM
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 23.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 15.2 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、フットプリントが小さく、コンパクトで効率的な設計向けに設計されています。伝導損失とドライバ損失を最小限に抑える低RDS（ON）、低QG 、および静電容量を備えたパワーMOSFETです。これらのMOSFETは、40V、60V、80Vドレイン・ソース電圧および±20Vゲート・ソース電圧が利用可能です。onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、鉛フリーおよびRoHS準拠デバイスです。

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