NVMJST1D4N06CLTXG

onsemi
863-VMJST1D4N06CLTXG
NVMJST1D4N06CLTXG

メーカ：

詳細：
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥640 ¥640
¥420.8 ¥4,208
¥296 ¥29,600
¥267.2 ¥133,600
¥265.6 ¥265,600
完全リール（3000の倍数で注文）
¥224 ¥672,000
¥222.4 ¥1,334,400
9,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TCPAK57
N-Channel
1 Channel
60 V
198 A
1.49 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
92.2 nC
- 55 C
+ 175 C
113 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 217 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 25 ns
シリーズ: NVMJST1D4N06CL
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 60 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 16 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、フットプリントが小さく、コンパクトで効率的な設計向けに設計されています。伝導損失とドライバ損失を最小限に抑える低RDS（ON）、低QG 、および静電容量を備えたパワーMOSFETです。これらのMOSFETは、40V、60V、80Vドレイン・ソース電圧および±20Vゲート・ソース電圧が利用可能です。onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、鉛フリーおよびRoHS準拠デバイスです。

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