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UJ4C075023K3S

Name: onsemi UJ4C075023K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4C075023K3S
Price: 1844 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

431-UJ4C075023K3S

メーカ番号：

UJ4C075023K3S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247-3

データシート:

UJ4C075023K3S データシート

ECADモデル:

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在庫: 595

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	¥1,105.6	¥11,056
	¥888	¥88,800
	¥886.4	¥531,840

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	750 V
Id - 連続ドレイン電流:	66 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	29 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6 V
Qg - ゲート電荷:	37.8 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	306 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
トレードネーム:	SiC FET
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	14 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	SiC FET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	49 ns
シリーズ:	UJ4C
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	53 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns

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選択した属性: 0

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UJ4C075023K3S データシート

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETは、業界で有数の性能指数を誇るハイパフォーマンス・シリーズの1製品です。高速（動作）での導電損失を低減して効率性を高め、全体的な費用対効果を改善します。Gen 4 シリーズは5.4mΩ ～60mΩ の範囲で選択でき、独自のカソード構造をベースにしています。高性能SiC JFETは、カソードが最適化されたSi-MOSFETと一緒にパッケージ化（コパッケージ化）されており、標準的なゲートドライブSiCデバイスを生産できます。UJ4C/SC 750V FETの標準的なゲートドライブ特性により、「ドロップイン交換」機能を実現できます。設計者は、既存のSi IGBT、Si FET、SiC FET、またはSiスーパージャンクションデバイスをQorvo UJ4C/SC FETに交換してゲートドライブ電圧を変更することなく、システム性能を大幅に高めることができます。