WP7113PD1BT/BD-P22

Name: Kingbright WP7113PD1BT/BD-P22
Brand: Kingbright
SKU: 604-WP7113PD1BTBDP22
Price: 137 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

604-WP7113PD1BTBDP22

メーカ番号：

WP7113PD1BT/BD-P22

メーカ：

Kingbright

詳細：

フォトダイオード 5mm PHOTODIODE

データシート:

WP7113PD1BT/BD-P22 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 731

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	¥95.8	¥958
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	¥58.9	¥29,450
	¥42.6	¥42,600
	¥40.3	¥80,600
	¥37.9	¥189,500
	¥37.8	¥378,000
	¥34.7	¥867,500

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Kingbright
製品カテゴリー:	フォトダイオード
RoHS:
製品:	Photodiodes
パッケージ/ケース:	T-1 3/4
取り付け様式:	Through Hole
ピーク波長:	940 nm
暗電流:	10 nA
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	170 V
上昇時間:	6 ns
下降時間:	6 ns
半強度角度:	20 deg
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
ブランド:	Kingbright
パッケージ化:	Bulk
Pd - 電力損失:	150 mW
光電流:	2 uA
製品タイプ:	Photodiodes
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Optical Detectors & Sensors
単位重量:	309.803 mg

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選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

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CNHTS:: 8541490000
CAHTS:: 8541410000
USHTS:: 8541410000
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ECCN:: EAR99

NPN Si Phototransistors

Kingbright NPN Si Phototransistors are made with NPN silicon phototransistor chips. These phototransistors are mechanically and spectrally matched to infrared-emitting LED lamps. The NPN Si phototransistors operate at a temperature range from -40°C to +85°C. These phototransistors feature a maximum collector-to-emitter voltage of 30V and an emitter-to-collector voltage of 5V. Typical applications include infrared applied systems, optoelectronic switches, and photodetector control circuits.