WP7113PD1BT/BD-P22

Kingbright
604-WP7113PD1BTBDP22
WP7113PD1BT/BD-P22

メーカ:

詳細:
フォトダイオード 5mm PHOTODIODE

ECADモデル:
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在庫: 731

在庫:
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工場リードタイム:
6 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥137.6 ¥138
¥95.8 ¥958
¥70.2 ¥7,020
¥58.9 ¥29,450
¥42.6 ¥42,600
¥40.3 ¥80,600
¥37.9 ¥189,500
¥37.8 ¥378,000
¥34.7 ¥867,500

製品属性 属性値 属性の選択
Kingbright
製品カテゴリー: フォトダイオード
RoHS:  
Photodiodes
T-1 3/4
Through Hole
940 nm
10 nA
170 V
6 ns
6 ns
20 deg
- 40 C
+ 85 C
ブランド: Kingbright
パッケージ化: Bulk
Pd - 電力損失: 150 mW
光電流: 2 uA
製品タイプ: Photodiodes
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Optical Detectors & Sensors
単位重量: 309.803 mg
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541400103
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
TARIC:
8541401000
MXHTS:
8541410100
BRHTS:
85414011
ECCN:
EAR99

NPN Si Phototransistors

Kingbright NPN Si Phototransistors are made with NPN silicon phototransistor chips. These phototransistors are mechanically and spectrally matched to infrared-emitting LED lamps. The NPN Si phototransistors operate at a temperature range from -40°C to +85°C. These phototransistors feature a maximum collector-to-emitter voltage of 30V and an emitter-to-collector voltage of 5V. Typical applications include infrared applied systems, optoelectronic switches, and photodetector control circuits.