Analog Devices Inc. ADRF5549デュアルチャンネルRF FEM

Analog Devices Inc. ADRF5549デュアルチャンネルRFフロントエンドモジュール(FEM)は、1.8GHz~2.8GHzで動作する時分割二重化(TDD)アプリケーションを対象に設計されています。これらのマルチチップモジュールは、カスケード接続された2段・低ノイズアンプ(LNA)が備わっているデュアルチャンネル、およびハイパワー・シリコン単極双投(SPDT)スイッチで構成されています。ADRF5549 FEMは、ハイパワー対応の容量、低電流供給、高絶縁、低挿入損失が特徴です。これらのモジュールは、RoHSに準拠したコンパクトな6mm x 6mm寸法になっており、40リード、リードフレームチップスケールパッケージ(LFCSP)に収められています。代表的なアプリケーションには、ワイヤレスインフラ、TDDベースの通信システム、TDD大規模マルチ入力とマルチ出力(MIMO)、アクティブ・アンテナ・システムがあります。

特徴

  • 統合デュアルチャンネルRFフロントエンドモジュール:
    • 2段階LNAおよびハイパワーSPDTスイッチ
    • オンチップ・バイアスとマッチング
    • 単電源動作
  • ゲイン:
    • 高ゲインモード: 2.3GHzで標準35dB
    • 低ゲインモード: 2.3GHzで標準17dB
  • 低ノイズ値:
    • 高ゲインモード: 2.3GHzで標準1.4dB
    • 低ゲインモード: 2.3GHzで標準1.4dB
  • 高絶縁:
    • RxOUT-ChAとRxOUT-ChBの間: 標準50dB
    • TERM-ChAとTERM-ChBの間: 標準62dB
  • 低挿入損失: 2.7GHzで標準2.3GHz
  • ハイパワー対応@ TCASE = 105°C
  • 全寿命:
    • LTE平均電力 (9dB PAR): 40dBm
  • シングルイベント(<10秒動作)
    • LTE平均電力 (9dB PAR): 43dBm
  • 高OIP3: 32dBm typical
  • パワーダウンモードと低ゲインモード(LNA向け)
  • 低供給電流:
    • 高ゲインモード: 5Vで標準85mA
    • 低ゲインモード: 5Vで標準35mA
  • パワーダウンモード: 5Vで12mA typical
  • 正論理制御
  • 寸法6mm × 6mm
  • 40リードLFCSPパッケージ

アプリケーション

  • 無線インフラストラクチャ
  • TDDベースの通信システム
  • TDD大規模マルチ入力および複数出力(MIMO)ならびにアクティブ・アンテナ・システム

機能ブロック図

ブロック図 - Analog Devices Inc. ADRF5549デュアルチャンネルRF FEM

標準アプリケーション回路

アプリケーション回路図 - Analog Devices Inc. ADRF5549デュアルチャンネルRF FEM
公開: 2019-11-25 | 更新済み: 2024-03-08