Analog Devices Inc. HMC637BPM5E MMIC

Analog Devices Inc. HMC637BPM5Eモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)は、ガリウム砒素(GaAs)、擬似格子整合高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、カスケード分散電力アンプです。MMICは、通常モードで自己バイアスされており、自己消費電流(IDQ)調整のためのオプション、ならびに2次インターセプト(IP2)および3次インターセプト(IP3)最適化のためのバイアス制御が特徴です。このアンプは、DC~7.5GHzで動作し、15.5dBの小信号ゲイン、1dBゲイン圧縮で28dBmの出力パワーを実現しています。また、このデバイスは、39dBmの標準出力IP3、および3.5dBノイズ指数が特徴であると同時に、12V供給電圧(VDD)から345mAを必要とします。

HMC637BPM5Eは、軍事、宇宙、テスト機器アプリケーションに最適で、±0.5dB(typ)でDC~7.5GHzのゲイン平坦性が備わっています。また、HMC637BPM5Eは、入力/出力(I/O)も特徴で、50Ωに内部整合されています。

このデバイスは、RoHS準拠の5×5mmプリモールド・キャビティ、リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ(LFCSP)に格納されています。これによって、大容量表面実装技術(MVT)アセンブリ機器との互換性があります。

特徴

  • P1dB出力パワー: +28dBm(typ)
  • ゲイン: 15.5dB(typ)
  • 出力IP3: 39dBm(typ)
  • 50Ωの整合入/出力
  • 自己バイアス@ VDD = 12V @ 345mA(Typ)
    • IDQ調整用VGG1でのオプションのバイアス制御
    • IP2およびIP3最適化のためのVGG2でのオプションのバイアス制御
  • 32リード、5×5mm LFCSPパッケージ: 25mm2

アプリケーション

  • 軍事および航空宇宙
  • 試験装置

ブロック図

ブロック図 - Analog Devices Inc. HMC637BPM5E MMIC
公開: 2018-08-15 | 更新済み: 2023-02-24