Analog Devices Inc. HMC8038 SPDT非反射スイッチ
Analog Devices HMC8038非反射スイッチは、高絶縁、低挿入損失、単極、ダブルスルー(SPDT)0.1~6GHzスイッチで、高電力対応容量が備わっています。 HMC8038スイッチは、最大62dBの絶縁および最大4.0GHzで標準0.8dBの挿入損失を提供します。 HMC8038ファミリには、最大6GHzの優れた電力対応が備わっています。 このスイッチは、60dBm入力3次インターセプト(IP3)および35dBm(VDD = 5V)の0.1dB圧縮ポイント(P0.1dB)で高直線性も達成しています。 高度なシリコンプロセスを用いて設計されたHMC8038スイッチには、高速150nsスイッチングおよび170nsセトリング時間、ならびに堅牢なESD保護機能が備わっています。 HMC8038スイッチは、RFインターフェースを含めてすべてのデバイスピンでのESD保護が特徴で、4kV HMBおよび1.25kV CDMに耐えることができます。 4mmx4mm LFCSPパッケージでご用意のあるHMC8038スイッチは、セルラーインフラアプリケーションに最適です。The switches also achieve high linearity with a 60dBm input third-order intercept (IP3) and 0.1dB compression point (P0.1dB) of 35dBm (VDD = 5V).
Designed using an advanced silicon process, the HMC8038 switches offer fast 150ns switching and 170ns settling times as well robust ESD protection. The HMC8038 switches feature ESD protection on all device pins, including the RF interface, and can withstand 4kV HMB and 1.25kV CDM. Available in a 4mmx4mm LFCSP package, the HMC8038 switches are ideally suited for cellular infrastructure applications.
特徴
- Nonreflective, 50Ω design
- High isolation 60dB typical
- Low insertion loss 0.8dB typical
- High power handling
- 34dBm through path
- 29dBm terminated path
- High linearity
- 0.1dB compression (P0.1dB) 35dBm typical
- Input third-order intercept (IP3) 60dBm typical
- ESD ratings
- 4kV human body model (HBM), Class 3A
- 1.25kV charged device model (CDM)
- Single positive supply
- 3.3V to 5V
- 1.8V-compatible control
- All off state control
- 16-lead, 4mm×4mm LFCSP (16mm²)
アプリケーション
- Cellular/4G infrastructure
- Wireless infrastructure
- Automotive telematics
- Mobile radios
- Test equipment
Block Diagram
Evaluation Board
公開: 2016-04-11
| 更新済み: 2025-10-01
