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1ED3322MC12NXUMA1

Name: Infineon 1ED3322MC12NXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED3322MC12NXUMA
Price: 526 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-1ED3322MC12NXUMA

メーカ番号：

1ED3322MC12NXUMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

ゲートドライバ ISOLATED DRIVER

データシート:

1ED3322MC12NXUMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 2,762

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	¥396.8	¥3,968
	¥363.2	¥9,080
	¥326.4	¥32,640
	¥310.4	¥77,600
	¥299.2	¥149,600
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥276.8	¥276,800
	¥268.8	¥537,600

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Isolated Gate Drivers
タイプ:	High-Side
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DSO-16
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	8.5 A
供給電圧 - 最小:	2.5 V
供給電圧 - 最大:	5.5 V
構成:	Inverting, Non-Inverting
上昇時間:	530 ns
下降時間:	370 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	Enhanced F3 family
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
論理タイプ:	CMOS
最長電源切断遅延時間:	92 ns
最長電源投入遅延時間:	84 ns
水分感度:	Yes
動作供給電流:	1.1 mA
出力電圧:	35 V
Pd - 電力損失:	810 mW
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	15 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.35 Ohms
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
トレードネーム:	EiceDRIVER
別の部品番号:	1ED3322MC12N SP005433359

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データシート

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™強化F3ファミリ

インフィニオン (Infineon) EiceDRIVER™ Enhanced F3 ファミリ（1ED332x）は、300milのDSO-16パッケージに収められた8.5Aシングルチャネル絶縁型ドライバです。ED332xMC12N ファミリは、ソフトオフおよびハードオフによるフォルト遮断、IGBTおよびSiC向けの低電圧ロックアウト（UVLO）設定、2種類の出力電流強度、および2種類の出力構成など、市場のニーズに応える機能を備えています。このF3製品ファミリーは、SiC MOSFETの短絡保護に優れたソリューションです。

EiceDRIVER Enhanced 絶縁ゲートドライバIC

EiceDRIVER™ Enhanced 絶縁ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET向けに、DESAT、ミラークランプ、ソフトオフなどの保護機能を提供します。これらの絶縁ドライバは、同社のコアレストランス（CT）技術に基づいており、300kV/μsという世界最高水準のコモンモード過渡イミュニティ（CMTI）を実現しています。ミラークランプと正確な短絡保護機能（DESAT）により、CoolSiC™ SiC MOSFETおよびTRENCHSTOP™ IGBT7の駆動時の寄生ターンオンと短絡を回避し、優れたアプリケーションの安全性を実現しています。EiceDRIVER™ 絶縁ドライバは、最大9Aの駆動能力を備えており、ブースターソリューションは時代遅れなものになります。これらのシングルチャネルおよびデュアルチャネルゲートドライバICは、X3アナログファミリ（1ED34xx）およびX3デジタルファミリのゲートドライバICとして提供されています。1ED34xxおよび1ED38xx ゲートドライバICは、9Aの出力電流と40V_max の出力電圧を提供し、沿面距離8mmの省スペースなDS0-16ファインピッチワイドボディパッケージを採用しています。これらのICは、短絡クランプとアクティブシャットダウンを備えており、1500V DC ソーラーインバータアプリケーションに最高の絶縁能力を提供します。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。