1ED3431MU12MXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED3431MU12MXUMA
1ED3431MU12MXUMA1

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ ISOLATED DRIVER

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 852

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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥808.5 ¥809
¥616.1 ¥6,161
¥567.2 ¥14,180
¥513.5 ¥51,350
¥490.6 ¥122,650
完全リール（1000の倍数で注文）
¥459.7 ¥459,700
¥443.4 ¥886,800

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
3 A
3 V
25 V
15 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
Enhanced X3 analog
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
トレードネーム: EiceDRIVER
別の部品番号: 1ED3431MU12M SP005350849
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
インドネシア
組立原産国:
インドネシア
拡散国:
ドイツ
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

EiceDRIVER™拡張 X3 アナログ ファミリ

Infineon TechnologiesEiceDRIVER™拡張 X3アナログファミリは、外部抵抗器(ADJA および ADJB ピン) を介して、DESAT(調整可能なフィルター時間) およびソフトオフ (調整可能な電流) の抵抗構成可能性を提供します。Infineon1ED34xxシングル チャネル絶縁型ドライバは、8mm沿面距離を備えた省スペースのDSO-16ファインピッチ ワイド ボディパッケージで、最大9A出力電流と40V最大出力電源電圧を備えています。拡張 X3アナログファミリは、1分の VIso =5.7kVRMS およびVDE 0884-11（強化絶縁）VIORM =1767Vとして、UL1577に従って認定されています。

EiceDRIVER Enhanced 絶縁ゲートドライバIC

EiceDRIVER™ Enhanced 絶縁ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET向けに、DESAT、ミラークランプ、ソフトオフなどの保護機能を提供します。これらの絶縁ドライバは、同社のコアレストランス（CT）技術に基づいており、300kV/μsという世界最高水準のコモンモード過渡イミュニティ（CMTI）を実現しています。ミラークランプと正確な短絡保護機能（DESAT）により、CoolSiC™ SiC MOSFETおよびTRENCHSTOP™ IGBT7の駆動時の寄生ターンオンと短絡を回避し、優れたアプリケーションの安全性を実現しています。EiceDRIVER™ 絶縁ドライバは、最大9Aの駆動能力を備えており、ブースターソリューションは時代遅れなものになります。これらのシングルチャネルおよびデュアルチャネルゲートドライバICは、X3アナログファミリ（1ED34xx）およびX3デジタルファミリのゲートドライバICとして提供されています。1ED34xxおよび1ED38xx ゲートドライバICは、9Aの出力電流と40Vmax の出力電圧を提供し、沿面距離8mmの省スペースなDS0-16ファインピッチワイドボディパッケージを採用しています。これらのICは、短絡クランプとアクティブシャットダウンを備えており、1500V DC ソーラーインバータアプリケーションに最高の絶縁能力を提供します。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

1チャンネルMOSFETゲートドライバIC

Infineon 1チャンネルMOSFETゲートドライバICは、制御ICとパワフルなMOSFETおよびGaNスイッチングデバイスとの間の重要なリンクです。ゲートドライバICは、高いシステムレベル効率、優れた電力密度、一貫したシステム堅牢性を可能にします。
詳細

絶縁ゲートドライバ

Infineon 絶縁型ゲートドライバは、磁気結合コアレストランス（CT）技術を使用し、ガルバニック絶縁をまたいで信号伝送を行います。これらのドライバは、機能的な基本、強化絶縁、UL 1577、VDE 0884認定製品を提供します。この絶縁により、非常に大きな電圧振幅（例 ±1200V）が可能になります。これらの絶縁型ドライバには、MOSFET、IGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT駆動用の最も重要な主要機能とパラメータが組み込まれています。

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