AFGH4L25T120RWD

Name: onsemi AFGH4L25T120RWD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGH4L25T120RWD
Price: 1515 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-AFGH4L25T120RWD

メーカ番号：

AFGH4L25T120RWD

メーカ：

onsemi

詳細：

IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L

ライフサイクル:

Mouser 初

データシート:

AFGH4L25T120RWD データシート

ECADモデル:

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	¥780.8	¥398,208

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-4
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.37 V
最大ゲートエミッタ電圧:	20 V
25 Cでのコレクターの直流:	50 A
Pd - 電力損失:	416 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	AFGH4L25T120RWD
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値:	25 A
ゲート - エミッタリーク電流:	400 nA
製品タイプ:	IGBTs
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors

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選択した属性: 0

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データシート

AFGH4L25T120RWD データシート

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFGHxL25TシングルNチャンネル1,200V 25A IGBT

onsemi AFGHxL25TシングルNチャンネル1,200V 25A絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT) は、堅牢で費用対効果の高いフィールドストップVIIトレンチ構造が特徴です。onsemi AFGHxL25Tは、要求の厳しいスイッチングアプリケーションでの優れた性能を実現しています。低オン電圧および最小スイッチング損失には、車載アプリケーションでの最適なハードおよびソフトスイッチングトポロジ性能が備わっています。