AFGH4L25T120RWD

Name: onsemi AFGH4L25T120RWD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGH4L25T120RWD
Price: 1569 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-AFGH4L25T120RWD

メーカ番号：

AFGH4L25T120RWD

メーカ：

onsemi

詳細：

IGBT FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L

ライフサイクル:

Mouser 初

データシート:

AFGH4L25T120RWD データシート

ECADモデル:

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	¥1,078	¥10,780
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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-4
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.37 V
最大ゲートエミッタ電圧:	20 V
25 Cでのコレクターの直流:	50 A
Pd - 電力損失:	416 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	AFGH4L25T120RWD
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値:	25 A
ゲート - エミッタリーク電流:	400 nA
製品タイプ:	IGBTs
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors

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選択した属性: 0

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データシート

AFGH4L25T120RWD データシート

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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