BSC076N04NDATMA1

Infineon Technologies
726-BSC076N04NDATMA1
BSC076N04NDATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET IFX FET 40V

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥323.2 ¥323
¥195.2 ¥1,952
¥104.8 ¥10,480
¥97.3 ¥48,650
完全リール（5000の倍数で注文）
¥97.3 ¥486,500

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
構成: Dual
下降時間: 7 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4 ns
シリーズ: BSC076N04
工場パックの数量: 5000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 2 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 22 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 13 ns
別の部品番号: BSC076N04ND SP002594330
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

OptiMOS™デュアルチャンネル・スーパークールパワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™デュアルチャンネルスーパーコールパワーMOSFETは、スーパーSO8パッケージに収められたNチャンネルパワートランジスタで、デュアルクール機能により熱性能を向上させています。Infineon OptiMOSパワーMOSFETは、効率性、電力密度、費用対効果を高めるように開発されました。これらのデバイスは、低いオン状態抵抗（RDS（on））と低い逆回復電荷（Qrr）を特長としており、電力密度を高めるとともに、堅牢性とシステムの信頼性を向上させます。+175°Cの定格は、より高い接合部動作温度でのより大きな出力を可能にするか、同じ接合部動作温度での長寿命を実現する設計をサポートします。

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