BSM180C12P2E202

Name: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180C12P2E202
Price: 122585 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-BSM180C12P2E202

メーカ番号：

BSM180C12P2E202

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFETモジュール 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

データシート:

BSM180C12P2E202 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	Module
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	204 A
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.6 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.36 kW
シリーズ:	BSMx
パッケージ化:	Tray
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	32 ns
高さ:	15.4 mm
If - 順電流（Forward Current）:	180 A
長さ:	152 mm
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	36 ns
工場パックの数量:	4
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	SiC Power Module
標準電源切断遅延時間:	139 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	49 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.6 V
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.2 kV
幅:	62 mm

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SiC Power Modulesパワーモジュール

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