BSM180C12P2E202

ROHM Semiconductor
755-BSM180C12P2E202
BSM180C12P2E202

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

データシート:
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¥95,990.4 ¥1,151,885

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
204 A
- 6 V, + 22 V
1.6 V
- 40 C
+ 150 C
1.36 kW
BSMx
Tray
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 32 ns
高さ: 15.4 mm
If - 順電流（Forward Current）: 180 A
長さ: 152 mm
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 36 ns
工場パックの数量: 4
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
タイプ: SiC Power Module
標準電源切断遅延時間: 139 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 49 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）: 1.6 V
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 1.2 kV
幅: 62 mm
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選択した属性: 0

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CNHTS:
8504409190
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiC Power Modulesパワーモジュール

ROHM Semiconductor SiCパワーモジュールは、SiC MOSFETおよびSiC SBDをシングル段に統合するハーフブリッジSiCモジュールです。これらのROHM SiCモジュールは、スイッチング損失の低減を通して高周波数を実現しています。

ROHMは、市場に出回っているモジュールと比較して、漂遊インダクタンスを削減するためにパワーモジュールを最適化します。過度の発熱を防止するため、Etypeモジュールが追加のサーミスタを内部に統合しています。
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