C3M0016120D

941-C3M0016120D
C3M0016120D

メーカ:

詳細:
SiC MOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET

ライフサイクル:
製造中止:
メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。

在庫状況

在庫:

製品属性 属性値 属性の選択
Wolfspeed
製品カテゴリー: SiC MOSFET
配送制限
 マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
115 A
22.3 mOhms
- 8 V, + 19 V
1.8 V
207 nC
- 40 C
+ 175 C
556 W
Enhancement
ブランド: Wolfspeed
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 27 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 53 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 28 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 84 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 174 ns
単位重量: 6 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFET

Wolfspeed   1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFETは、性能、堅牢性、容易な設計性の基準を設定します。Wolfspeed MOSFETは、高速スイッチングおよび低スイッチング損失機能が特徴で、シリコンMOSFETおよびIGBT電流に比べてシステム効率、電力密度、全体的なBOMコストの大幅な向上を保証します。