C3M0021120D

Wolfspeed
941-C3M0021120D
C3M0021120D

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
Wolfspeed C3M0021120Dの詳細を読む

在庫: 1,070

在庫：
1,070 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
13 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,158.9 ¥3,159
¥2,171.2 ¥21,712
¥1,946.2 ¥233,544
¥1,838.6 ¥937,686

製品属性 属性値 属性の選択
Wolfspeed
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28.8 mOhms
- 4 V, + 15 V
1.8 V
160 nC
- 40 C
+ 175 C
469 W
Enhancement
ブランド: Wolfspeed
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 25 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 35 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 27 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 72 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 142 ns
単位重量: 6 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFET

Wolfspeed   1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFETは、性能、堅牢性、容易な設計性の基準を設定します。Wolfspeed MOSFETは、高速スイッチングおよび低スイッチング損失機能が特徴で、シリコンMOSFETおよびIGBT電流に比べてシステム効率、電力密度、全体的なBOMコストの大幅な向上を保証します。

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFETは、より高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、変調器の部品サイズを縮小します。 SiC C3M MOSFETには、より高いシステム効率があり、冷却要件を削減します。 MOSFETは電力密度、およびシステム切替頻度も増加します。

炭化ケイ素1200V MOSFETとダイオード

Wolfspeedシリコンカーバイド（SiC）1200V MOSFETとダイオードは、要求水準の高い用途で高効率を達成するための強力な相互作用を生み出します。これらのMOSFETおよびショットキーダイオードは、高電力アプリケーションでの使用を目的に設計されています。1200V SiC MOSFETは、安定したRds(on) 過熱耐性およびアバランシェ耐性を特徴としています。これらのMOSFETは、外付けダイオードを必要としない堅牢なボディダイオードで、15Vゲートドライブが備わっているため駆動が簡単です。1200V SiC MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減し、システムレベルの電力密度を改善することで、システムレベルの効率を向上させます。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。