C3M0040120K1

Name: Wolfspeed C3M0040120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0040120K1
Price: 1940 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

941-C3M0040120K1

メーカ番号：

C3M0040120K1

メーカ：

Wolfspeed

詳細：

SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

ライフサイクル:

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C3M0040120K1 データシート (PDF)

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	¥1,404.8	¥168,576
	¥947.2	¥483,072

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Wolfspeed
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	66 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	70 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.8 V
Qg - ゲート電荷:	94 nC
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	242 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Wolfspeed
構成:	Single
下降時間:	8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	20 S
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	Silicon Carbide Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	23 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns

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データシート

C3M0040120K1 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-4薄型1,200V SiCパワーMOSFET

Wolfspeed TO-247-4薄型1,200Vシリコンカーバイド（SiC）パワーMOSFETは、少ない静電容量での高速スイッチング、および低いオン抵抗での高い阻止電圧が特徴です。これらのパワーMOSFETは、スイッチング損失と冷却要件を減らし、ゲートリンギングを最小限に抑えます。1200V SiCパワーMOSFETは、逆回復電荷（_Qrr）が少ない高速真性ダイオードを組み込んでいます。これらのパワーMOSFETは、電力密度およびシステムのスイッチング周波数を高めます。1200V SiCパワーMOSFETは、個別のドライバソースピンを備え、最適済みで、本体が低背のTO-247-4パッケージに封止されています。これらのパワーMOSFETは、ハロゲンフリーおよびRoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、モータ制御、EVバッテリ充電器、高電圧DC/DCコンバータ、ソーラー/ESS、UPS、エンタープライズPSUがあります。

炭化ケイ素1200V MOSFETとダイオード

Wolfspeedシリコンカーバイド（SiC）1200V MOSFETとダイオードは、要求水準の高い用途で高効率を達成するための強力な相互作用を生み出します。これらのMOSFETおよびショットキーダイオードは、高電力アプリケーションでの使用を目的に設計されています。1200V SiC MOSFETは、安定したR_ds(on) 過熱耐性およびアバランシェ耐性を特徴としています。これらのMOSFETは、外付けダイオードを必要としない堅牢なボディダイオードで、15Vゲートドライブが備わっているため駆動が簡単です。1200V SiC MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減し、システムレベルの電力密度を改善することで、システムレベルの効率を向上させます。

1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFET

Wolfspeed 1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFETは、性能、堅牢性、容易な設計性の基準を設定します。Wolfspeed MOSFETは、高速スイッチングおよび低スイッチング損失機能が特徴で、シリコンMOSFETおよびIGBT電流に比べてシステム効率、電力密度、全体的なBOMコストの大幅な向上を保証します。