C3M0160120K1

Name: Wolfspeed C3M0160120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120K1
Price: 1297 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

941-C3M0160120K1

メーカ番号：

C3M0160120K1

メーカ：

Wolfspeed

詳細：

SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

データシート:

C3M0160120K1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Wolfspeed
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4LP
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	17.9 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	280 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.8 V
Qg - ゲート電荷:	32 nC
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	103 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Wolfspeed
構成:	Single
下降時間:	12 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	4.6 S
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	9 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	Silicon Carbide Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	13 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8 ns

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データシート

C3M0160120K1 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

炭化ケイ素1200V MOSFETとダイオード

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1,200VシリコンカーバイドパワーMOSFET

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