CG2H40010F

MACOM
941-CG2H40010F
CG2H40010F

メーカ：

詳細：
GaN FET GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
MACOM
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
Screw Mount
440166
N-Channel
120 V
1.5 A
- 2.7 V
- 40 C
+ 150 C
ブランド: MACOM
ゲイン: 16.5 dB
最高動作周波数: 6 GHz
最小動作周波数: 0 Hz
出力電力: 10 W
パッケージ化: Tray
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 100
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: GaN HEMT
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: - 10 V, 2 V
単位重量: 4.200 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMT

Wolfspeed / Cree CG2H40xxおよびCG2H30xx GaN HEMTは、レールから動作する高電子移動度トランジスタです。CG2H40xxおよびCG2H30xxトランジスタは、さまざまなRFおよびマイクロ波アプリケーション向けの汎用ブロードバンド・ソリューションです。これらのHEMTの高効率、高ゲイン、広帯域幅の機能によって、線形および圧縮アンプ回路に最適です。CG2H40xxおよびCG2H30xxトランジスタは、スクリューダウン、フランジ、はんだ付け、ピル・パッケージ、2リードフランジの異なるパッケージでご用意があります。一般的なアプリケーションには、ブロードバンド、セルラーインフラ、レーダーがあります。
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