DIF120SIC022

Diotec Semiconductor
637-DIF120SIC022
DIF120SIC022

メーカ:

詳細:
SiC MOSFET 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C

ライフサイクル:
Mouser 初
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 438

在庫:
438 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
9 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥4,736.8 ¥4,737
¥3,085.6 ¥30,856
¥3,048.1 ¥1,554,531

製品属性 属性値 属性の選択
Diotec Semiconductor
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
120 A
22.3 mOhms
- 4 V, + 18 V
4 V
269 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
DIF120SIC022
ブランド: Diotec Semiconductor
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 35 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 41.5 S
製品: MOSFETs
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 38 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 108 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 150 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99