DMWSH120H28SM3

Name: Diodes Incorporated DMWSH120H28SM3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWSH120H28SM3
Price: 4624 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

621-DMWSH120H28SM3

メーカ番号：

DMWSH120H28SM3

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

DMWSH120H28SM3 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Diodes Incorporated DMWSH120H28SM3の詳細を読む

在庫: 24

在庫：: 24 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 40 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥4,624	¥4,624
	¥3,864	¥38,640
	¥3,379.2	¥405,504
1,020	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	97.4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	28.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	175 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	405 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Diodes Incorporated
構成:	Single
下降時間:	12.8 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	40.6 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	Silicon Carbide Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	44.8 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	24.2 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

DMWSH120H28SM3 データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFETは、シリコンカーバイドMOSFETで、オン状態抵抗を最小限に抑え優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。これらのMOSFETは、低入力容量、最大100μAのゼロゲート電圧ドレイン電流、最大± 250nAのゲート－ソース漏洩、高BV_DSS 定格が特徴で、パワーアプリケーションを対象としています。DMWSH120Hx MOSFETは、-55°C ～ 175°C温度範囲内で動作し、UL 94 V-0難燃性等級定格に準拠しています。これらのパワーMOSFETは、EVハイパワーDC-DCコンバータ、EV充電システム、ソーラーインバータ、AC-DCトラクションインバータ、車載モータドライバに最適です。