DMWSH120H90SM3

Name: Diodes Incorporated DMWSH120H90SM3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWSH120H90SM3
Price: 1808 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

621-DMWSH120H90SM3

メーカ番号：

DMWSH120H90SM3

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS

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DMWSH120H90SM3 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	41 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	97.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	50.9 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 170 C
Pd - 電力損失:	246 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Diodes Incorporated
構成:	Single
下降時間:	7.1 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	MOSFETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	20 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	Silicon Carbide Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	18 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10.1 ns

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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFETは、シリコンカーバイドMOSFETで、オン状態抵抗を最小限に抑え優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。これらのMOSFETは、低入力容量、最大100μAのゼロゲート電圧ドレイン電流、最大± 250nAのゲート－ソース漏洩、高BV_DSS 定格が特徴で、パワーアプリケーションを対象としています。DMWSH120Hx MOSFETは、-55°C ～ 175°C温度範囲内で動作し、UL 94 V-0難燃性等級定格に準拠しています。これらのパワーMOSFETは、EVハイパワーDC-DCコンバータ、EV充電システム、ソーラーインバータ、AC-DCトラクションインバータ、車載モータドライバに最適です。