ENGNCP58935ABLTXG

onsemi
863-ENGNCP58935ABLTX
ENGNCP58935ABLTXG

メーカ：

詳細：
GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLL

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製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
PDSO-F9
N-Channel
1 Channel
650 V
75 A
25 mOhms
10 V to 24 V
+ 150 C
Enhancement
GaNEXUS
2 MHz
GaN
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 13 ns
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: Transistors
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 6.6 ns
シリーズ: NCP58935ABL
工場パックの数量: 2400
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
タイプ: Enhancement Mode HEMT
標準電源切断遅延時間: 8 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 23 ns
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選択した属性: 0

データシート

原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

GaNEXUS™ GaN FET

オンセミ (onsemi) GaNEXUS™窒化ガリウム電界効果トランジスタ（GaN FET）は、GaNのワイドバンドギャップ材質特性を利用して、高速スイッチング、低ゲートおよび出力充電、そしてシリコン電力トランジスタと比較して強化された効率性を実現します。これらの機能により、低電圧、中電圧、高電圧、超高電圧の電力変換アプリケーションにおいて、より高い動作周波数、電力密度の向上、および磁気成分の低減が可能になります。エンハンスメントモードのディスクリートGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）には、40Vから650Vまでの電圧範囲を提供し、信頼性を向上させ、システム統合を簡素化するための統合保護を備えた650V GaNEXUSスマートGaN FETも含まれています。オンセミ (onsemi) GaNEXUSファミリの理想的な用途には、産業用オートメーション、ロボット工学、AIデータセンター、自動車電化、およびエネルギーインフラストラクチャが含まれます。

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予想2026/11/16
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57
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,325.3 ¥3,325
¥2,483.2 ¥24,832
¥2,147.7 ¥214,770
¥2,033.1 ¥1,016,550
¥1,898.5 ¥1,898,500
完全リール（2400の倍数で注文）
¥1,898.5 ¥4,556,400

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