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F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1

Name: Infineon F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L8MXTR12C2M2QH
Price: 30849 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-F3L8MXTR12C2M2QH

メーカ番号：

F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFETモジュール EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology

ライフサイクル:

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データシート:

F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 データシート (PDF)

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Infineon Technologies F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1の詳細を読む

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Press Fit
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	95 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	16.8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.3 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	20 mW
シリーズ:	EasyPACK C series
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
下降時間:	28.7 ns
高さ:	12 mm
If - 順電流（Forward Current）:	55 A
長さ:	57.1 mm
製品:	MOSFET Module
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	24.5ns
工場パックの数量:	18
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	CoolSiC
タイプ:	MOSFET
標準電源切断遅延時間:	63 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	50.4 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	4.35 V
幅:	53 mm

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選択した属性: 0

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データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854121000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: オーストリア
組立原産国:: ドイツ
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1200V CoolSiC™モジュール

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™モジュールは、シリコン・カーバイド（SiC）MOSFETモジュールで、優れたレベルの効率とシステムの柔軟性が得られます。これらのモジュールには、近閾値回路（NTC）およびPressFITコンタクト技術が採用されています。Coolsicモジュールは、高電流密度、ベスト・イン・クラスのスイッチングと伝導損失が備わっており、低誘導設計になっています。これらのモジュールは、高周波数動作、電力密度の増大、開発サイクル時間とコストの最適化を実現しています。

EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFETモジュール

インフィニオン (Infineon)EasyPACK™CoolSiC™トレンチMOSFETモジュール PressFIT 接触技術と統合型 NTC（負の温度係数）温度センサを備えています。これらのモジュールは 1200V のドレイン－ソース電圧で動作し、低インダクタンス設計、低スイッチング損失、高電流密度を特長としています。EasyPACK™ モジュールは、統合されたマウンティングクランプにより堅牢な実装を実現し、CTI >600 のパッケージで提供されます。アプリケーションには、高周波スイッチングデバイス、DC/DC コンバータ、EV 向け DC 充電器が含まれます。Easy 2C シリーズにより、Infineon は SiC G2 技術と先進的な技術を用いて高出力設計を強化します。XT の特長.XTは、XT 技術は堅牢性を強化し、動作温度範囲を拡張します。一方、第2世代 SiC MOSFET 技術は、ゲート酸化膜の信頼性を向上させ、オン抵抗を低減します。

EasyPACK™ C Series CoolSiC MOSFET モジュール

インフィニオン (Infineon) EasyPACK™ C Series CoolSiC MOSFET モジュールは、第 2 世代 CoolSiC トレンチ MOSFET と、低インダクタンスの Easy C Series プラットフォームを組み合わせています。XT 相互接続テクノロジーこれらのインフィニオン (Infineon) モジュールは、超低スイッチング損失、寄生要素の高精度な制御、そしてパワーサイクリング時の堅牢性向上を実現します。堅牢な PressFIT ピン、統合された NTC センシング、統合された取り付けクランプ、そして高 CTI 絶縁により、組み立てが効率化され、要求の厳しいミッションプロファイルをサポートします。4 パック（F4）および 3 レベル（F3）トポロジで提供されるこのシリーズは、8mΩ と 13mΩ の抵抗クラスをラインナップし、EMI 性能と熱マージンを維持しながら、スイッチング周波数の向上、磁性部品の小型化、そして電力密度の向上を実現します。