GP2T040A120H

SemiQ
148-GP2T040A120H
GP2T040A120H

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,859.2 ¥1,859
¥1,536 ¥15,360
¥940.8 ¥112,896
¥896 ¥456,960

製品属性 属性値 属性の選択
SemiQ
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
63 A
37 mOhms
- 10 V, + 25 V
4 V
118 nC
- 55 C
+ 175 C
322 W
Enhancement
ブランド: SemiQ
構成: Single
下降時間: 14 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 16 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 5 ns
シリーズ: GP2T040A120
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 23 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 14 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.

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