IGC019S06S1XTMA1

Infineon Technologies
726-IGC019S06S1XTMA1
IGC019S06S1XTMA1

メーカ：

詳細：
GaN FET CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥700.8 ¥701
¥470.4 ¥4,704
¥348.8 ¥34,880
¥310.4 ¥155,200
¥286.4 ¥286,400
完全リール（5000の倍数で注文）
¥243.2 ¥1,216,000

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
1 Channel
60 V
99 A
1.9 mOhms
6.5 V
2.9 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolGaN
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: Transistors
製品タイプ: GaN FETs
シリーズ: 60 V - 120 V G3
工場パックの数量: 5000
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: P-Channel
タイプ: CoolGaN
別の部品番号: IGC019S06S1 SP006027441
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ G3トランジスタ

インフィニオン (Infineon) CoolGaN™G3トランジスタは、高電力密度アプリケーションにおいて優れた性能を発揮するよう設計されています。これらのトランジスタは非常に低いオン状態抵抗を特徴としており、効率的なパワー変換とエネルギー損失の低減を可能にします。4つの電圧オプション（60V、80V、100V、120V）を利用可能なCoolGaN G3 トランジスタは、超低ゲート/出力電荷による超高速スイッチングを実現します。また、本トランジスタは、熱管理を強化し、両面冷却をサポートするコンパクトなPQFNパッケージに収められており、過酷な条件下でも信頼性の高い動作を保証します。これらの特長により、CoolGaN G3 トランジスタは、通信、データセンター用電源、および産業用パワーシステムなどのアプリケーションに最適な選択肢となります。

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